| Общие характеристики | |
|---|---|
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Пропускная способность | 5300 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество ранков | 2 |
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца
VKontakte
Facebook
Twitter
Google+
